Kādas ir LED epitaksiālo plāksnīšu augšanas tehnoloģijas?

1. Šķidrās fāzes epitaksiālās augšanas metode:galvenokārt izmanto sarkano un zaļo gaismu izstarojošo diožu epitaksijas tehnoloģijā

2. Gāzes fāzes epitaksiālās augšanas metode:galvenokārt izmanto dzelteno un oranžo gaismu izstarojošo diožu epitaksiālajā tehnoloģijā, piemēram, gallija arsenīda fosfora (GaAsP) materiāla audzēšanai

3. Divpakāpju izaugsmes process:pašreizējā plaši izmantoto procesu komerciālā ražošana, taču pastāv epitaksiālās vafeļu vienveidības problēmas, attīstības tendence ietver palielinātu slodzi un augstu vienas mikroshēmas iekārtu automatizācijas pakāpi

4. Hidrīda tvaika fāzes epitaksiālās vafeles (HVPE) tehnoloģija:var ātri izaudzēt biezas plēves ar zemu bitu kļūdu blīvumu, taču ir grūti precīzi kontrolēt plēves biezumu, un tā ir kodīga iekārtām.

5. Selektīvas epitaksijas plāksnīšu augšanas vai sānu epitaksijas plāksnīšu augšanas tehnoloģija:izmantojot fotolitogrāfijas un kodināšanas tehnoloģiju, veidojot maskas slāni, lai vēl vairāk samazinātu bitu kļūdu blīvumu un uzlabotu kristāla kvalitāti.